Електронна бібліотека Житомирського державного університету: Ніяких умов. Результати впорядковані-Дата внесення. 2024-03-28T11:55:53ZEPrintshttp://eprints.zu.edu.ua/images/logo2.gifhttp://eprints.zu.edu.ua/2014-11-25T12:18:14Z2015-08-15T10:28:34Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/14146Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/141462014-11-25T12:18:14ZТокоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-SiЭкспериментально установлено, что в процессе термообработки при Т=450°С в течение 10 минут в вакууме ~10-6 Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n+-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n+Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления ρс(Т). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости ρс составляет ~5∙109 см-2 и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации.В. Н. ШереметА. В. СаченкоА. Е. БеляевВ. А. ПилипенкоТ. В. ПетлицкаяВ. А. АнищикН. С. БолтовецР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикА. О. Виноградов2014-02-03T07:02:00Z2015-08-15T05:40:05Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10537Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105372014-02-03T07:02:00ZНаноэлектронные эффекты в удельном контактном сопротивлении полупроводниковых структур с высокой плотностю дислокацийВ статье идет речь про наноэлектронные эффекты в удельном контактном сопротивлении полупроводниковых структур с высокой плотностю дислокацийА. В. СаченкоА. Е. БеляевА. В. БобыльН. С. БолтовецА. О. ВиноградовР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикС. В. НовицкийВ. Н. Шеремет