Електронна бібліотека Житомирського державного університету: Ніяких умов. Результати впорядковані-Дата внесення. 2024-03-29T10:13:38ZEPrintshttp://eprints.zu.edu.ua/images/logo2.gifhttp://eprints.zu.edu.ua/2014-02-03T07:03:55Z2015-08-15T05:40:00Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10536Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105362014-02-03T07:03:55ZВлияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5Исследовано влияние микроволновой обработки частотой 2,4 и 24 ГГц на параметры омических контактов
к GaAs и InP. До и после микроволновой обработки измерены зависимости удельного контактного сопротивле-
ния от температуры, которые описаны моделью омического контакта с высокой плотностью дислокаций в при-
контактной области полупроводника с учетом диффузионного подвода электронов и сопротивления шунтов.
Микроволновая обработка приводит к увеличению плотности проводящих дислокаций (в ~1,5 раза), что приво-
дит к уменьшению удельного контактного сопротивления.
А. В. СаченкоА. Е. БеляевН. С. БолтовецР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикС. В. НовицкийВ. Н. ШереметЮ. В. БыковЮ. В. ЕгоровА. Г. Еремеев