Електронна бібліотека Житомирського державного університету: Ніяких умов. Результати впорядковані-Дата внесення. 2024-03-29T06:09:07ZEPrintshttp://eprints.zu.edu.ua/images/logo2.gifhttp://eprints.zu.edu.ua/2014-02-03T07:37:02Z2015-08-15T05:39:18Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10521Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105212014-02-03T07:37:02ZТемпературная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокацийНа основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления ρc омических
контактов к структурам n−n
+−n
++-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый
механизм роста ρc с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне
100−400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T),
объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на
которых локализованы металлические шунты.
А. В. СаченкоА. Е. БеляевА. В. БобыльН. С. БолтовецВ. Н. ИвановЛ. М. КапитанчукР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикВ. В. МиленинС. В. НовицкийД. А. СаксеевИ. С. ТарасовВ. Н. ШереметМ. А. Яговкина