Електронна бібліотека Житомирського державного університету: Ніяких умов. Результати впорядковані-Дата внесення. 2024-03-28T10:12:33ZEPrintshttp://eprints.zu.edu.ua/images/logo2.gifhttp://eprints.zu.edu.ua/2014-11-25T12:18:14Z2015-08-15T10:28:34Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/14146Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/141462014-11-25T12:18:14ZТокоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-SiЭкспериментально установлено, что в процессе термообработки при Т=450°С в течение 10 минут в вакууме ~10-6 Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n+-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n+Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления ρс(Т). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости ρс составляет ~5∙109 см-2 и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации.В. Н. ШереметА. В. СаченкоА. Е. БеляевВ. А. ПилипенкоТ. В. ПетлицкаяВ. А. АнищикН. С. БолтовецР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикА. О. Виноградов2014-11-25T12:14:53Z2015-08-15T10:28:21Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/14143Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/141432014-11-25T12:14:53ZМеханизм протекания тока в омическом контакте Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в интервале температур 4,2-300 КЭкспериментально исследована и теоретически объяснена температурная зависимость удельного контактного сопротивления ρс(Т) омических контактов Au-Ti-Al-Ti-n+GaN в диапазоне температур 4,2-300 К. А. В. СаченкоА. Е. БеляевН. С. БолтовецР. В. Конаковаkonakova@isp.kiev.uaЛ. М. КапитанчукВ. Н. Шеремет2014-11-04T21:28:51Z2015-08-15T09:41:46Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/13621Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/136212014-11-04T21:28:51ZОсобенности механизма токопереноса в омических контактах к AlNВ. Н. ШереметVolodymyrSheremet@gmail.comВ. С. Жигуновzhigunov91@mail.ruЮ. В. ЖиляевZhilyaev@jyuv.ioffe.ru2014-11-04T21:07:02Z2015-08-15T09:41:35Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/13619Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/136192014-11-04T21:07:02ZМеханизм токопереноса в омическом контакте к n-InNВ. Н. ШереметП. О. Сайsajpasha@gmail.comП. Н. Брунков2014-04-16T07:32:41Z2015-08-15T06:15:06Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10531Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105312014-04-16T07:32:41ZМеханизмы протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs)Об механизмах протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs) А. К. ТкаченкоС. В. НовицкийВ. Н. Шеремет2014-04-14T06:09:01Z2015-08-15T06:15:20Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11007Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/110072014-04-14T06:09:01ZПатент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідниківО. Є. БєляєвМ. С. БолтовецьР. В. КонаковаВ. В. МілєнінЯ. Я. КудрикВ. Н. ШереметС. В. Новийький2014-02-04T10:32:50Z2015-08-15T05:40:21Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10534Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105342014-02-04T10:32:50ZВлияние быстрого термического отжига и СВЧ на удельное сопротивление омических контактов к InP и GaAsВ статье идет речь об влиянии быстрого термического отжига и СВЧ на удельное сопротивление омических контактов к InP и GaAsА. К. ТкаченкоС. В. НовицкийВ. Н. Шеремет2014-02-03T07:39:55Z2015-08-26T22:07:15Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10516Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105162014-02-03T07:39:55ZРадиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением γ-квантами 60CoИсследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических
контактов.А. Е. БеляевН. С. БолтовецА. В. БобыльВ. Н. ИвановЛ. М. КапитанчукВ. П. КладькоР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикА. А. КорчевойО. С. ЛитвинВ. В. МиленинС. В. НовицкийВ. Н. Шеремет2014-02-03T07:39:23Z2015-08-15T05:39:06Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10519Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105192014-02-03T07:39:23ZВлияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN)Исследовано влияние быстрой термической обработки и микроволновой обработки на межфазные взаимо-
действия и удельное контактное сопротивление в омических контактах к InP (GaAs, GaN) с использованием бо-
ридов тугоплавких металлов в качестве диффузионных барьеров. Во всех трех типах образцов буферные свойст-
ва слоя TiBx, являющегося аморфным оксиборидом титана, сохраняются при температурах, в 2,4 раза превы-
шающих рабочие для GaAs, в 3 раза – для InP и в 2,3 раза – для GaN (при рабочей температуре прибора 300 °С).
Микроволновая обработка контактных структур к n-GaN привела к упорядочению слоевой структуры контакт-
ной металлизации и уменьшению разброса величины ρс.А. Е. БеляевН. С. БолтовецВ. Н. ИвановР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикВ. В. МиленинС. В. НовицкийВ. Н. Шеремет2014-02-03T07:37:02Z2015-08-15T05:39:18Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10521Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105212014-02-03T07:37:02ZТемпературная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокацийНа основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления ρc омических
контактов к структурам n−n
+−n
++-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый
механизм роста ρc с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне
100−400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T),
объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на
которых локализованы металлические шунты.
А. В. СаченкоА. Е. БеляевА. В. БобыльН. С. БолтовецВ. Н. ИвановЛ. М. КапитанчукР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикВ. В. МиленинС. В. НовицкийД. А. СаксеевИ. С. ТарасовВ. Н. ШереметМ. А. Яговкина2014-02-03T07:36:15Z2015-08-15T05:39:24Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10522Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105222014-02-03T07:36:15ZВлияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP)Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного со-
противления ρc омических контактов Au–TiBx−Ge−Au−n−n
+−n
++(GaAs)-InP до и после кратковременной
(10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки ρc может уменьшаться во
всем температурном интервале измерений 100−400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и
теоретических зависимостей ρc(T), объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в
приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением.
А. Е. БеляевА. В. СаченкоН. С. БолтовецВ. Н. ИвановР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикЛ. А. МатвееваВ. В. МиленинС. В. НовицкийВ. Н. Шеремет2014-02-03T07:29:19Z2015-08-15T05:39:40Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10526Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105262014-02-03T07:29:19ZРадиационные эффекты в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, содержащих поликристаллические и аморфные диффузионные барьерыВ статье идет речь об радиационных эффектах в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, содержащих поликристаллические и аморфные диффузионные барьеры А. Е. БеляевН. С. БолтовецА. В. БобыльВ. Н. ИвановЛ. М. КапитанчукВ. П. КладькоР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикО. С. ЛитвинВ. В. МиленинС. В. НовицкийВ. Н. Шеремет2014-02-03T07:03:55Z2015-08-15T05:40:00Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10536Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105362014-02-03T07:03:55ZВлияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5Исследовано влияние микроволновой обработки частотой 2,4 и 24 ГГц на параметры омических контактов
к GaAs и InP. До и после микроволновой обработки измерены зависимости удельного контактного сопротивле-
ния от температуры, которые описаны моделью омического контакта с высокой плотностью дислокаций в при-
контактной области полупроводника с учетом диффузионного подвода электронов и сопротивления шунтов.
Микроволновая обработка приводит к увеличению плотности проводящих дислокаций (в ~1,5 раза), что приво-
дит к уменьшению удельного контактного сопротивления.
А. В. СаченкоА. Е. БеляевН. С. БолтовецР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикС. В. НовицкийВ. Н. ШереметЮ. В. БыковЮ. В. ЕгоровА. Г. Еремеев2014-02-03T07:02:00Z2015-08-15T05:40:05Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10537Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105372014-02-03T07:02:00ZНаноэлектронные эффекты в удельном контактном сопротивлении полупроводниковых структур с высокой плотностю дислокацийВ статье идет речь про наноэлектронные эффекты в удельном контактном сопротивлении полупроводниковых структур с высокой плотностю дислокацийА. В. СаченкоА. Е. БеляевА. В. БобыльН. С. БолтовецА. О. ВиноградовР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикС. В. НовицкийВ. Н. Шеремет2014-02-03T06:53:50Z2015-08-15T05:40:12Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10539Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105392014-02-03T06:53:50ZОсобенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 КУ статті розглядаються особливості температурної залежності питомого контактного супротиву А. В. СаченкоА. Е. БеляевН. С. БолтовецВ. Н. ИвановР. В. КонаковаС. В. НовицкийВ. Н. ШереметА. С. Пилипчук2014-01-31T06:53:39Z2015-08-15T05:38:16Zhttp://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10514Цей елемент знаходиться в архіві з URL: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/105142014-01-31T06:53:39ZДиоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактахУ статті розкривається суть міжфазних взаємодій в катодних контактах.Н. С. БолтовецВ. Н. ИвановВ. М. КовтонюкН. С. РаевскаяА. Е. БеляевА. В. БобыльР. В. КонаковаЯ. Я. КудрикВ. В. МиленинС. В. НовицкийВ. Н. Шеремет