Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций

Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Бобыль, А. В., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Капитанчук, Л. М., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Саксеев, Д. А., Тарасов, И. С., Шеремет, В. Н., Яговкина, М. А. (2012) Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций. Физика и техника полупроводников, 46 (3). с. 348-355. ISSN 0015-3222

[img]
Перегляд
Text
Download (1MB) | Перегляд
Офіційний URL: http://journals.ioffe.ru/ftp/

Опис

На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления ρc омических контактов к структурам n−n +−n ++-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый механизм роста ρc с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне 100−400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T), объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на которых локализованы металлические шунты.

Тип елементу : Стаття
Теми: Q Наука > QC Фізика
T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика
Підрозділи: Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач, що депонує: С.В. Новицький
Дата внесення: 03 Лют 2014 07:37
Останні зміни: 15 Серп 2015 05:39
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10521

Actions (login required)

Перегляд елементу Перегляд елементу