Sachenкo, А. V., Belyaev, А. Е., Boltovets, N. S., Konaкova, R. V., Kudryк, Y. Y., Novytsкyі, S. V., Sheremet, V. N., Lі, J., Vіtusevіch, S. А. (2012) A new mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts to semiconductors with high dislocation density. Materials of a conference [31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012)], (Zurich, Switzerland, 29 July — 3 August, 2012 y.). с. 49.
|
Text
Download (81kB) | Перегляд |
Офіційний URL: http://sciconf.org/
Опис
About new mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts to semiconductors with high dislocation density
| Тип елементу : | Стаття |
|---|---|
| Теми: | Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика |
| Підрозділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
| Користувач, що депонує: | С.В. Новицький |
| Дата внесення: | 03 Лют 2014 06:57 |
| Останні зміни: | 15 Серп 2015 05:40 |
| URI: | http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10538 |
Actions (login required)
 |
Перегляд елементу |
