Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Миленин В. В., Новицкий С. В., Шеремет В. Н. (2011) Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN). Известия вузов. Физика (1-2). С. 74–77.
|
Текст
Download (351kB) | Preview |
Анотація
Исследовано влияние быстрой термической обработки и микроволновой обработки на межфазные взаимо- действия и удельное контактное сопротивление в омических контактах к InP (GaAs, GaN) с использованием бо- ридов тугоплавких металлов в качестве диффузионных барьеров. Во всех трех типах образцов буферные свойст- ва слоя TiBx, являющегося аморфным оксиборидом титана, сохраняются при температурах, в 2,4 раза превы- шающих рабочие для GaAs, в 3 раза – для InP и в 2,3 раза – для GaN (при рабочей температуре прибора 300 °С). Микроволновая обработка контактных структур к n-GaN привела к упорядочению слоевой структуры контакт- ной металлизации и уменьшению разброса величины ρс.
| Тип ресурсу: | Стаття |
|---|---|
| Класифікатор: | Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика |
| Відділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
| Користувач: | С.В. Новицький |
| Дата подачі: | 03 Лют 2014 07:39 |
| Оновлення: | 15 Серп 2015 05:39 |
| URI: | http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10519 |
Actions (login required)
 |
Оглянути опис ресурсу |
