Items where Subject is "T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering"

Up a level
Export as [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Group by: Creators | Item Type
Jump to: N | S | Б | К | Н | С | Т
Number of items at this level: 26.

N

Novytsкyі, S. V. (2011) Effect of thermal annealing on the electrical parameters of ohmic contacts to n-n+-n++-InP. Materials of a conf. [XIII International conf. «Physics and technology of thin films and nanosystems» (ICPTTFN-XIII)]Ivano-Frankivsk, Ukraine, 16—21 May 2011 y.), 1. p. 112.

Novytsкyі, S. V. (2013) Some methodological aspects of studying ohmic contacts to n-InP. materials of a conf. [XIV International conf. «Physics and technology of thin films and nanosystems» (ICPTTFN-XIV)], (Ivano-Frankivsk, Ukraine, 20—25 may 2013 y.). p. 437.

S

Sachenкo, А. V. and Belyaev, А. Е. and Boltovets, N. S. and Konaкova, R. V. and Kudryк, Y. Y. and Novytsкyі, S. V. and Sheremet, V. N. and Lі, J. and Vіtusevіch, S. А. (2012) A new mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts to semiconductors with high dislocation density. Materials of a conference [31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012)], (Zurich, Switzerland, 29 July — 3 August, 2012 y.). p. 49.

Sachenкo, А. V. and Belyaev, А. Е. and Boltovets, N. S. and Konaкova, R. V. and Kudryк, Y. Y. and Novytsкyі, S. V. and Sheremet, V. N. and Lі, J. and Vіtusevіch, S. А. (2012) Mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density. Journal of Applied Physics, 111 (8). 083701-083701. ISSN 0021-8979

Б

Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Бобыль, А. В. and Иванов, В. Н. and Капитанчук, Л. М. and Кладько, В. П. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Корчевой, А. А. and Литвин, О. С. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2010) Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением γ-квантами 60Co. Физика и техника полупроводников, 44 (12). pp. 1607-1614. ISSN 0015-3222

Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Бобыль, А. В. and Иванов, В. Н. and Капитанчук, Л. М. and Кладько, В. П. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Литвин, О. С. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2010) Радиационные эффекты в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, содержащих поликристаллические и аморфные диффузионные барьеры. Труды совещания [Труды ХХ Международного совещания «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 5 июля - 10 июля 2010 г.)], 1. pp. 222-231.

Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2011) Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN). Известия вузов. Физика (1-2). pp. 74-77.

Беляев, А. Е. and Саченко, А. В. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Матвеева, Л. А. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2012) Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP). Физика и техника полупроводников, 46 (4). pp. 558-561. ISSN 0015-3222

Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Ковтонюк, В. М. and Раевская, Н. С. and Беляев, А. Е. and Бобыль, А. В. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2010) Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах. Технология и конструирование в электронной аппаратуре (5-6). pp. 3-6. ISSN 2225-5818

ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 65725 Україна, МПК Н01L 21/66. Спосіб контролю якості котодного контакту діодів Ганна. u 2011 0693.

ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs. u 2013 03026.

ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. u 2010 15698.

К

Кривонос, О. М. and Кузьменко, Є. В. and Кузьменко, С. В. (2016) Огляд та перспективи використання платформи Arduino Nano 3.0 у вищій школі. Інформаційні технології і засоби навчання (6 (56)). pp. 77-87. ISSN 2076-8184

Н

Новицкий, С. В. (2011) Влияние быстрой термической обработки на температурную зависимость удельного контактного сопротивления омического контакта Au-TiB2-Ge-Au-n-n+-n++-InP. Материалы конференции. [Республиканская конференция «Современные проблемы физики полупроводников» (СПФП-2011)]. pp. 67-69.

Новицкий, С. В. (2013) Дослідження омічних контактів до n-InP. Збірник тез [Конференція молодих вчених з фізики напівпровідників «Лашкарьовські читання - 2013»]. pp. 225-227.

Новицкий, С. В. (2012) Електрофізичні характеристики контактів Au-Ge-TiB2-Au до InP після проходження швидкої термічної обробки. збірник тез [Конференція молодих вчених з фізики напівпровідників «Лашкарьовські читання - 2012»]. pp. 236-238.

Новицкий, С. В. (2012) Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP. Технология и конструирование в электронной аппаратуре (4). pp. 32-34. ISSN 2225-5818

Новицкий, С. В. (2013) Методологические аспекты измерения удельного контактного сопротивления TLM методом с линейной и радиальной геометрией контактов. Петербургский журнал электроники (3). pp. 59-70.

Новицкий, С. В. (2012) Методологические аспекты измерения удельного контактного сопротивления TLM методом с радиальной геометрией контактов. Сборник научных трудов. [V Международная науч. конф. «Материалы и структуры современной электроники»], (Минск, Беларусь, 10—11 октября, 2012 г.). pp. 60-62.

Новицкий, С. В. (2012) Омические контакты к фосфиду индия. Петербургский журнал электроники (1). pp. 24-40.

С

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Бобыль, А. В. and Болтовец, Н. С. and Виноградов, А. О. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2012) Наноэлектронные эффекты в удельном контактном сопротивлении полупроводниковых структур с высокой плотностю дислокаций. Тезисы докладов [III Международная конференция «Наноструктурные материалы – 2012: Россия – Украина – Беларусь»], (Санкт-Петербург, Россия, 19—22 ноября, 2012 г.). p. 37.

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Бобыль, А. В. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Капитанчук, Л. М. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Саксеев, Д. А. and Тарасов, И. С. and Шеремет, В. Н. and Яговкина, М. А. (2012) Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций. Физика и техника полупроводников, 46 (3). pp. 348-355. ISSN 0015-3222

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Конакова, Р. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. and Пилипчук, А. С. (2013) Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К. Тези доповідей. [VI Українська наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН-6)], (Чернівці, Україна, 30 вересня — 4 жовтня 2013 р.). pp. 123-124.

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. and Быков, Ю. В. and Егоров, Ю. В. and Еремеев, А. Г. (2012) Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5. Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября). pp. 333-336.

Т

Ткаченко, А. К. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2012) Влияние быстрого термического отжига и СВЧ на удельное сопротивление омических контактов к InP и GaAs. Материалы конференции. [Международная научно-техническая конференция «Фундаментальные и прикладные проблемы физики»], (Саранск, Россия, 28—30 мая, 2012 г.), 1. pp. 68-72.

Ткаченко, А. К. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2011) Механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs). Материалы конференции. [Республиканская конференция «Современные проблемы физики полупроводников» (СПФП-2011)]. pp. 61-62.

This list was generated on Wed Nov 22 07:20:51 2017 EET.