Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN)

Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2011) Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN). Известия вузов. Физика (1-2). pp. 74-77.

[img]
Preview
Text
Download (351kB) | Preview

Abstract

Исследовано влияние быстрой термической обработки и микроволновой обработки на межфазные взаимо- действия и удельное контактное сопротивление в омических контактах к InP (GaAs, GaN) с использованием бо- ридов тугоплавких металлов в качестве диффузионных барьеров. Во всех трех типах образцов буферные свойст- ва слоя TiBx, являющегося аморфным оксиборидом титана, сохраняются при температурах, в 2,4 раза превы- шающих рабочие для GaAs, в 3 раза – для InP и в 2,3 раза – для GaN (при рабочей температуре прибора 300 °С). Микроволновая обработка контактных структур к n-GaN привела к упорядочению слоевой структуры контакт- ной металлизации и уменьшению разброса величины ρс.

Item Type: Article
Subjects: Q Science > QC Physics
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Labor Protection
Depositing User: С.В. Новицький
Date Deposited: 03 Feb 2014 07:39
Last Modified: 15 Aug 2015 05:39
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10519

Actions (login required)

View Item View Item