Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN)

Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2011) Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN). Известия вузов. Физика (1-2). pp. 74-77.

[img]
Preview
Text
Download (351kB) | Preview

Abstract

Исследовано влияние быстрой термической обработки и микроволновой обработки на межфазные взаимо- действия и удельное контактное сопротивление в омических контактах к InP (GaAs, GaN) с использованием бо- ридов тугоплавких металлов в качестве диффузионных барьеров. Во всех трех типах образцов буферные свойст- ва слоя TiBx, являющегося аморфным оксиборидом титана, сохраняются при температурах, в 2,4 раза превы- шающих рабочие для GaAs, в 3 раза – для InP и в 2,3 раза – для GaN (при рабочей температуре прибора 300 °С). Микроволновая обработка контактных структур к n-GaN привела к упорядочению слоевой структуры контакт- ной металлизации и уменьшению разброса величины ρс.

Item Type: Article
Subjects: Q Science > QC Physics
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Its Teaching Methods
Depositing User: С.В. Новицький
Date Deposited: 03 Feb 2014 07:39
Last Modified: 15 Aug 2015 05:39
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10519

Actions (login required)

View Item View Item