Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2011) Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN). Известия вузов. Физика (1-2). pp. 74-77.
|
Text
Download (351kB) | Preview |
Abstract
Исследовано влияние быстрой термической обработки и микроволновой обработки на межфазные взаимо- действия и удельное контактное сопротивление в омических контактах к InP (GaAs, GaN) с использованием бо- ридов тугоплавких металлов в качестве диффузионных барьеров. Во всех трех типах образцов буферные свойст- ва слоя TiBx, являющегося аморфным оксиборидом титана, сохраняются при температурах, в 2,4 раза превы- шающих рабочие для GaAs, в 3 раза – для InP и в 2,3 раза – для GaN (при рабочей температуре прибора 300 °С). Микроволновая обработка контактных структур к n-GaN привела к упорядочению слоевой структуры контакт- ной металлизации и уменьшению разброса величины ρс.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Subjects: | Q Science > QC Physics T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
| Divisions: | Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Its Teaching Methods |
| Depositing User: | С.В. Новицький |
| Date Deposited: | 03 Feb 2014 07:39 |
| Last Modified: | 15 Aug 2015 05:39 |
| URI: | http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10519 |
Actions (login required)
 |
View Item |
