Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників

ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. u 2010 15698.

[img]
Preview
Text
Download (4MB) | Preview
Item Type: Patent
Subjects: Q Science > QC Physics
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Labor Protection
Depositing User: С.В. Новицький
Date Deposited: 14 Apr 2014 06:09
Last Modified: 15 Aug 2015 06:15
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11007

Actions (login required)

View Item View Item

Downloads

Downloads per month over past year

View more statistics