Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників

ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. u 2010 15698.

[img]
Перегляд
Text
Download (4MB) | Перегляд
Тип елементу : Патент
Теми: Q Наука > QC Фізика
T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика
Підрозділи: Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач, що депонує: С.В. Новицький
Дата внесення: 14 Квіт 2014 06:09
Останні зміни: 15 Серп 2015 06:15
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11007

Actions (login required)

Перегляд елементу Перегляд елементу