ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. u 2010 15698.
|
Text
Download (4MB) | Preview |
| Item Type: | Patent |
|---|---|
| Subjects: | Q Science > QC Physics T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
| Divisions: | Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Its Teaching Methods |
| Depositing User: | С.В. Новицький |
| Date Deposited: | 14 Apr 2014 06:09 |
| Last Modified: | 15 Aug 2015 06:15 |
| URI: | http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11007 |
Actions (login required)
 |
View Item |
