Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP)

Беляев А. Е., Саченко А. В., Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Матвеева Л. А., Миленин В. В., Новицкий С. В., Шеремет В. Н. (2012) Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP). Физика и техника полупроводников, 46 (4). С. 558–561. ISSN 0015-3222

Preview

Текст Download (165kB) | Preview

Анотація

Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного со- противления ρc омических контактов Au–TiBx−Ge−Au−n−n +−n ++(GaAs)-InP до и после кратковременной (10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки ρc может уменьшаться во всем температурном интервале измерений 100−400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T), объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением.

Тип ресурсу:	Стаття
Класифікатор:	Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика
Відділи:	Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач:	С.В. Новицький
Дата подачі:	03 Лют 2014 07:36
Оновлення:	15 Серп 2015 05:39
URI:	http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10522

Actions (login required)

Оглянути опис ресурсу