Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників

ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. u 2010 15698.

[img]
Preview
Текст
Download (4MB) | Preview
Тип ресурсу: Патент
Класифікатор: Q Наука > QC Фізика
T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика
Відділи: Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач: С.В. Новицький
Дата подачі: 14 Квіт 2014 06:09
Оновлення: 15 Серп 2015 06:15
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11007

Actions (login required)

Оглянути опис ресурсу Оглянути опис ресурсу