ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. u 2010 15698.
|
Текст
Download (4MB) | Preview |
Тип ресурсу: | Патент |
---|---|
Класифікатор: | Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика |
Відділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
Користувач: | С.В. Новицький |
Дата подачі: | 14 Квіт 2014 06:09 |
Оновлення: | 15 Серп 2015 06:15 |
URI: | http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11007 |
Actions (login required)
![]() |
Оглянути опис ресурсу |