ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs. u 2013 03026.
|
Text
Download (2MB) | Перегляд |
| Тип елементу : | Патент |
|---|---|
| Теми: | Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика |
| Підрозділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
| Користувач, що депонує: | С.В. Новицький |
| Дата внесення: | 23 Квіт 2014 06:42 |
| Останні зміни: | 15 Серп 2015 06:16 |
| URI: | http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11036 |
Actions (login required)
 |
Перегляд елементу |
