ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs. u 2013 03026.
|
Текст
Download (2MB) | Preview |
| Тип ресурсу: | Патент |
|---|---|
| Класифікатор: | Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика |
| Відділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
| Користувач: | С.В. Новицький |
| Дата подачі: | 23 Квіт 2014 06:42 |
| Оновлення: | 15 Серп 2015 06:16 |
| URI: | http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11036 |
Actions (login required)
 |
Оглянути опис ресурсу |
