Формування омічних контактів до напівпровідникових сполук A3N

Шеремет В. М., Сай П. О. (2014) Формування омічних контактів до напівпровідникових сполук A3N. Вісник ЖДТУ (1). С. 1–102.

[img]
Preview
Текст
Download (2MB) | Preview

Анотація

В статті розглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджені структурні і електрофізичні параметри контактних структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і досліджено механізм струмопереносу по провідним дислокаціям з дифузійним обмеженням носіїв струму.

Тип ресурсу: Стаття
Класифікатор: Q Наука > QC Фізика
Відділи: Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач: Богдан Володимирович Свищ
Дата подачі: 25 Лист 2014 12:17
Оновлення: 15 Серп 2015 10:28
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/14145

Actions (login required)

Оглянути опис ресурсу Оглянути опис ресурсу