Формування омічних контактів до напівпровідникових сполук A3N

Шеремет, В. М. and Сай, П. О. (2014) Формування омічних контактів до напівпровідникових сполук A3N. Вісник ЖДТУ (1). pp. 1-102.

[img]
Preview
Text
Download (2MB) | Preview

Abstract

В статті розглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджені структурні і електрофізичні параметри контактних структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і досліджено механізм струмопереносу по провідним дислокаціям з дифузійним обмеженням носіїв струму.

Item Type: Article
Subjects: Q Science > QC Physics
Divisions: Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Labor Protection
Depositing User: Богдан Свищ
Date Deposited: 25 Nov 2014 12:17
Last Modified: 15 Aug 2015 10:28
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/14145

Actions (login required)

View Item View Item

Downloads

Downloads per month over past year

View more statistics