Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr

Шелюк, І. О., Томашик, З. Ф., Томашик, В. М., Стратійчук, І. Б., Денисюк, Р. О. (2011) Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА, 12 (2). с. 411-415. ISSN 1729-4428

Перегляд

Text Download (477kB) | Перегляд

Опис

Досліджено хімічну взаємодію монокристалів GаАs, GаSb, InAs, InAs (Sn) та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. Встановлено залежність швидкості їх розчинення від складу травників, перемішування, температури та визначено лімітуючі стадії процесу розчинення. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні вказаних напівпровідникових матеріалів.

Тип елементу :	Стаття
Ключові слова:	Напівпровідник, монокристал, легування, поверхня, травник, швидкість травлення, хімічне полірування.
Теми:	Q Наука > QD Хімія
Підрозділи:	Природничий факультет > Кафедра хімії
Користувач, що депонує:	к.х.н Роман Денисюк
Дата внесення:	07 Груд 2012 11:42
Останні зміни:	15 Серп 2015 02:43
URI:	http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/8658

Actions (login required)

Перегляд елементу