Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr

Шелюк І. О., Томашик З. Ф., Томашик В. М., Стратійчук І. Б., Денисюк Р. О. (2011) Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА, 12 (2). С. 411–415. ISSN 1729-4428

Preview

Текст Download (477kB) | Preview

Анотація

Досліджено хімічну взаємодію монокристалів GаАs, GаSb, InAs, InAs (Sn) та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. Встановлено залежність швидкості їх розчинення від складу травників, перемішування, температури та визначено лімітуючі стадії процесу розчинення. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні вказаних напівпровідникових матеріалів.

Тип ресурсу:	Стаття
Ключові слова:	Напівпровідник, монокристал, легування, поверхня, травник, швидкість травлення, хімічне полірування.
Класифікатор:	Q Наука > QD Хімія
Відділи:	Природничий факультет > Кафедра хімії
Користувач:	Роман Олександрович Денисюк
Дата подачі:	07 Груд 2012 11:42
Оновлення:	15 Серп 2015 02:43
URI:	http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/8658

Actions (login required)

Оглянути опис ресурсу