Technique and setup for diagnostics of p-n junction–package thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs

Sorokіn, V. М., Konakova, R. V., Kudryk, Y. Y., Zinovchuk, A. V. (2012) Technique and setup for diagnostics of p-n junction–package thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 15 (12). с. 124-128. ISSN 1605-6582

Перегляд

Text Download (3MB) | Перегляд

Опис

We present a setup and procedure of studying p-n junction–package thermal resistance in high-power light-emitting diodes (LEDs) from their thermal relaxation. A set of LEDs mounted on a metal-core printed circuit board (MCPCB) were studied. The contributions to the total thermal resistance from a heavy heat sink, MCPCB, heat slug and LED chip are separated.

Тип елементу :	Стаття
Ключові слова:	thermal resistance, light emitting diodes, nitrides
Теми:	Q Наука > QC Фізика
Підрозділи:	Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач, що депонує:	Богдан Свищ
Дата внесення:	21 Лист 2012 11:58
Останні зміни:	10 Жов 2016 09:03
URI:	http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/8347

Actions (login required)

Перегляд елементу