Ресурси де є Автор Новийький С. В.

перехід на Верхній рівень
Виберіть формат: [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Групувати за: Тип ресурсу | Не групувати
Кількість ресурсів: 1.

ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. Не визначено.

Цей список був створений Thu Jul 3 04:41:34 2025 EEST.