Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників

ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. .

Item Type:	Patent
Subjects:	Q Science > QC Physics T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions:	Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Methods of Its Teaching
Depositing User:	С.В. Новицький
Date Deposited:	14 Apr 2014 09:09
Last Modified:	15 Aug 2015 09:15
URI:	https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11007

Actions (login required)

View Item