Механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs)

Ткаченко А. К., Новицкий С. В., Шеремет В. Н. (2011) Механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs). Материалы конференции. [Республиканская конференция «Современные проблемы физики полупроводников» (СПФП-2011)]. С. 61–62.

[img]
Preview
Текст
Download (849kB) | Preview

Анотація

Об механизмах протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs)

Тип ресурсу: Стаття
Класифікатор: Q Наука > QC Фізика
T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика
Відділи: Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач: С.В. Новицький
Дата подачі: 16 Квіт 2014 07:32
Оновлення: 15 Серп 2015 06:15
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10531

Actions (login required)

Оглянути опис ресурсу Оглянути опис ресурсу