Механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs)

Ткаченко, А. К., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2011) Механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs). Материалы конференции. [Республиканская конференция «Современные проблемы физики полупроводников» (СПФП-2011)]. с. 61-62.

[img]
Перегляд
Text
Download (849kB) | Перегляд

Опис

Об механизмах протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs)

Тип елементу : Стаття
Теми: Q Наука > QC Фізика
T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика
Підрозділи: Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач, що депонує: С.В. Новицький
Дата внесення: 16 Квіт 2014 07:32
Останні зміни: 15 Серп 2015 06:15
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10531

Actions (login required)

Перегляд елементу Перегляд елементу