Sachenko А. V., Belyaev А. Е., Boltovets N. S., Konakova R. V., Kudryк Y. Y., Novytsкyі S. V., Sheremet V. N., Lі J., Vіtusevіch S. А. (2012) A new mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts to semiconductors with high dislocation density. Materials of a conference [31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012)], (Zurich, Switzerland, 29 July — 3 August, 2012 y.). ст. 49.
|
Текст
Download (81kB) | Preview |
Анотація
About new mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts to semiconductors with high dislocation density
| Тип ресурсу: | Стаття |
|---|---|
| Класифікатор: | Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика |
| Відділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
| Користувач: | С.В. Новицький |
| Дата подачі: | 03 Лют 2014 06:57 |
| Оновлення: | 15 Серп 2015 05:40 |
| URI: | http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10538 |
Actions (login required)
 |
Оглянути опис ресурсу |
