Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К

Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н., Пилипчук, А. С. (2013) Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К. Тези доповідей. [VI Українська наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН-6)], (Чернівці, Україна, 30 вересня — 4 жовтня 2013 р.). с. 123-124.

[img]
Перегляд
Text
Download (1MB) | Перегляд

Опис

У статті розглядаються особливості температурної залежності питомого контактного супротиву

Тип елементу : Стаття
Теми: Q Наука > QC Фізика
T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика
Підрозділи: Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач, що депонує: С.В. Новицький
Дата внесення: 03 Лют 2014 06:53
Останні зміни: 15 Серп 2015 05:40
URI: http://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10539

Actions (login required)

Перегляд елементу Перегляд елементу