Елементи, в яких автор: "Бобыль, А. В."

Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Бобыль, А. В., Болтовец, Н. С., Виноградов, А. О., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2012) Наноэлектронные эффекты в удельном контактном сопротивлении полупроводниковых структур с высокой плотностю дислокаций. Тезисы докладов [III Международная конференция «Наноструктурные материалы – 2012: Россия – Украина – Беларусь»], (Санкт-Петербург, Россия, 19—22 ноября, 2012 г.). с. 37.

Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Бобыль, А. В., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Капитанчук, Л. М., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Саксеев, Д. А., Тарасов, И. С., Шеремет, В. Н., Яговкина, М. А. (2012) Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций. Физика и техника полупроводников, 46 (3). с. 348-355. ISSN 0015-3222

Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Ковтонюк, В. М., Раевская, Н. С., Беляев, А. Е., Бобыль, А. В., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2010) Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах. Технология и конструирование в электронной аппаратуре (5-6). с. 3-6. ISSN 2225-5818

Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Бобыль, А. В., Иванов, В. Н., Капитанчук, Л. М., Кладько, В. П., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Литвин, О. С., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2010) Радиационные эффекты в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, содержащих поликристаллические и аморфные диффузионные барьеры. Труды совещания [Труды ХХ Международного совещания «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 5 июля - 10 июля 2010 г.)], 1. с. 222-231.

Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Бобыль, А. В., Иванов, В. Н., Капитанчук, Л. М., Кладько, В. П., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Корчевой, А. А., Литвин, О. С., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2010) Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением γ-квантами 60Co. Физика и техника полупроводников, 44 (12). с. 1607-1614. ISSN 0015-3222