Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN)

Исследовано влияние быстрой термической обработки и микроволновой обработки на межфазные взаимо-
действия и удельное контактное сопротивление в омических контактах к InP (GaAs, GaN) с использованием бо-
ридов тугоплавких металлов в качестве диффузионных барьеров. Во всех трех типах образцов буферные свойст-
ва слоя TiBx, являющегося аморфным оксиборидом титана, сохраняются при температурах, в 2,4 раза превы-
шающих рабочие для GaAs, в 3 раза – для InP и в 2,3 раза – для GaN (при рабочей температуре прибора 300 °С).
Микроволновая обработка контактных структур к n-GaN привела к упорядочению слоевой структуры контакт-
ной металлизации и уменьшению разброса величины ρс.