Саченко А. В., Беляев А. Е., Бобыль А. В., Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Капитанчук Л. М., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Миленин В. В., Новицкий С. В., Саксеев Д. А., Тарасов И. С., Шеремет В. Н. and Яговкина М. А. (2012) Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций. Physics and technics of semiconductors. Т. 46, № 3. pp. 348-355. ISSN 0015-3222.
ФТП 2012 T46 В3 p348-355.pdf
Download (1MB) | Preview
Abstract
На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления ρc омических
контактов к структурам n−n
+−n
++-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый
механизм роста ρc с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне
100−400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей ρc(T),
объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на
которых локализованы металлические шунты.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Subjects: | Q Science > QC Physics T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
| Divisions: | Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Methods of Its Teaching |
| Depositing User: | С.В. Новицький |
| Date Deposited: | 03 Feb 2014 09:37 |
| Last Modified: | 15 Aug 2015 08:39 |
| URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10521 |
| ДСТУ 8302:2015: | Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций / А. В. Саченко та ін. Physics and technics of semiconductors. 2012. Т. 46, № 3. pp. 348-355. |
Actions (login required)
- View Item