Беляев А. Е., Саченко А. В., Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Матвеева Л. А., Миленин В. В., Новицкий С. В. and Шеремет В. Н. (2012) Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP). Physics and technics of semiconductors. Т. 46, № 4. pp. 558-561. ISSN 0015-3222.
ФТП 2012 T46 В4 p558-561.pdf
Download (165kB) | Preview
Abstract
Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного со-
противления ρc омических контактов Au–TiBx−Ge−Au−n−n
+−n
++(GaAs)-InP до и после кратковременной
(10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки ρc может уменьшаться во
всем температурном интервале измерений 100−400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и
теоретических зависимостей ρc(T), объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в
приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Subjects: | Q Science > QC Physics T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
| Divisions: | Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Methods of Its Teaching |
| Depositing User: | С.В. Новицький |
| Date Deposited: | 03 Feb 2014 09:36 |
| Last Modified: | 15 Aug 2015 08:39 |
| URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10522 |
| ДСТУ 8302:2015: | Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP) / А. Е. Беляев та ін. Physics and technics of semiconductors. 2012. Т. 46, № 4. pp. 558-561. |
Actions (login required)
- View Item