Ткаченко А. К., Новицкий С. В., Шеремет В. Н. (2011) Механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs). Материалы конференции. [Республиканская конференция «Современные проблемы физики полупроводников» (СПФП-2011)].. С. 61–62.
Preview
МАТЕРИАЛЫ Нукус.pdf
Завантажити (849kB) | Preview
Анотація
Об механизмах протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs)
Тип ресурсу: | Стаття |
---|---|
Класифікатор: | Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика |
Відділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
Користувач: | С.В. Новицький |
Дата подачі: | 16 Квіт 2014 07:32 |
Оновлення: | 15 Серп 2015 06:15 |
URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10531 |
ДСТУ 8302:2015: | Ткаченко А. К., Новицкий С. В., Шеремет В. Н. Механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiBx-Au-Ge-InP (GaAs). Материалы конференции. [Республиканская конференция «Современные проблемы физики полупроводников» (СПФП-2011)]. 2011.. С. 61–62. |