Саченко А. В., Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Конакова Р. В., Кудрик Я. Я., Новицкий С. В., Шеремет В. Н., Быков Ю. В., Егоров Ю. В. and Еремеев А. Г. (2012) Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5. Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября). pp. 333-336.
333-336_Konakova.pdf
Download (413kB) | Preview
Abstract
Исследовано влияние микроволновой обработки частотой 2,4 и 24 ГГц на параметры омических контактов
к GaAs и InP. До и после микроволновой обработки измерены зависимости удельного контактного сопротивле-
ния от температуры, которые описаны моделью омического контакта с высокой плотностью дислокаций в при-
контактной области полупроводника с учетом диффузионного подвода электронов и сопротивления шунтов.
Микроволновая обработка приводит к увеличению плотности проводящих дислокаций (в ~1,5 раза), что приво-
дит к уменьшению удельного контактного сопротивления.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Subjects: | Q Science > QC Physics T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering |
| Divisions: | Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Methods of Its Teaching |
| Depositing User: | С.В. Новицький |
| Date Deposited: | 03 Feb 2014 09:03 |
| Last Modified: | 15 Aug 2015 08:40 |
| URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10536 |
| ДСТУ 8302:2015: | Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5 / А. В. Саченко та ін. Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября). 2012. pp. 333-336. |
Actions (login required)
- View Item