A new mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts to semiconductors with high dislocation density

Sachenko А. V., Belyaev А. Е., Boltovets N. S., Konakova R. V., Kudryк Y. Y., Novytsкyі S. V., Sheremet V. N., Lі J., Vіtusevіch S. А. (2012) A new mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts to semiconductors with high dislocation density. Materials of a conference [31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012)], (Zurich, Switzerland, 29 July — 3 August, 2012 y.). ст. 49.

Анотація

Тип ресурсу:	Стаття
Класифікатор:	Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика
Відділи:	Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач:	С.В. Новицький
Дата подачі:	03 Лют 2014 06:57
Оновлення:	15 Серп 2015 05:40
URI:	https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10538

Дії ​​(потрібно ввійти)

Оглянути опис ресурсу