Zhytomyr State University Library

Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К

Саченко А. В., Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Иванов В. Н., Конакова Р. В., Новицкий С. В., Шеремет В. Н. and Пилипчук А. С. (2013) Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К. Тези доповідей. [VI Українська наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН-6)], (Чернівці, Україна, 30 вересня — 4 жовтня 2013 р.). pp. 123-124.

[thumbnail of УНКФН-6_123.pdf]
Preview
Text
УНКФН-6_123.pdf

Download (1MB) | Preview

Abstract

У статті розглядаються особливості температурної залежності питомого контактного супротиву

Item Type: Article
Subjects: Q Science > QC Physics
T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
Divisions: Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Methods of Its Teaching
Depositing User: С.В. Новицький
Date Deposited: 03 Feb 2014 08:53
Last Modified: 15 Aug 2015 08:40
URI: https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/10539
ДСТУ 8302:2015: Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К / А. В. Саченко та ін. Тези доповідей. [VI Українська наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН-6)], (Чернівці, Україна, 30 вересня — 4 жовтня 2013 р.). 2013. pp. 123-124.

Actions (login required)

View Item
View Item