ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. .
Preview
UA61621_1.pdf
Завантажити (4MB) | Preview
Тип ресурсу: | Патент |
---|---|
Класифікатор: | Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика |
Відділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
Користувач: | С.В. Новицький |
Дата подачі: | 14 Квіт 2014 06:09 |
Оновлення: | 15 Серп 2015 06:15 |
URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11007 |