Novytsкyі S. V. (2011) Effect of thermal annealing on the electrical parameters of ohmic contacts to n-n+-n++-InP. Materials of a conf. [XIII International conf. «Physics and technology of thin films and nanosystems» (ICPTTFN-XIII)]Ivano-Frankivsk, Ukraine, 16—21 May 2011 y.). Т. 1. ст. 112.
Preview
Івано-Франківськ 2011.pdf
Завантажити (3MB) | Preview
Тип ресурсу: | Стаття |
---|---|
Класифікатор: | Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика |
Відділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
Користувач: | С.В. Новицький |
Дата подачі: | 16 Квіт 2014 07:23 |
Оновлення: | 15 Серп 2015 06:16 |
URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11040 |
ДСТУ 8302:2015: | Novytsкyі S. V. Effect of thermal annealing on the electrical parameters of ohmic contacts to n-n+-n++-InP. Materials of a conf. [XIII International conf. «Physics and technology of thin films and nanosystems» (ICPTTFN-XIII)]Ivano-Frankivsk, Ukraine, 16—21 May 2011 y.). 2011. Т. 1. ст. 112. |