Будник Т. (2014) Modeling of voltammetric characteristic for tunneling-resonant structure based on AlGaAs/GaAs semiconductor. Фахівець ХХІ століття: професійні мовні компетенції : матеріали Всеукраїнської науково-практичної конференції для студентів немовних спеціальностей.. С. 15–17.
Preview
Microsoft Word - Budnyk_.pdf
Завантажити (33kB) | Preview
Анотація
Transport of charge carriers in low-dimensional structures is often caused
by tunneling effect. Tunneling means transiting of electron through the area limited
by the potential energy barrier higher than the energy of electron [1]. Tunneling of
electrons in low dimensional structures is determined not only by the energy of
potential barriers, but also by allowed energy states for electrons within the
structure.
Тип ресурсу: | Стаття |
---|---|
Класифікатор: | T Технологія > T Технологія (Загальне) |
Відділи: | Інститут іноземної філології > Кафедра іноземних мов і новітніх технологій навчання |
Користувач: | О.О. Макаревич |
Дата подачі: | 16 Черв 2014 11:00 |
Оновлення: | 15 Серп 2015 06:48 |
URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11501 |
ДСТУ 8302:2015: | Будник Т. Modeling of voltammetric characteristic for tunneling-resonant structure based on AlGaAs/GaAs semiconductor.. Фахівець ХХІ століття: професійні мовні компетенції : матеріали Всеукраїнської науково-практичної конференції для студентів немовних спеціальностей. 2014.. С. 15–17. |