Саченко А. В., Беляев А. Е., Болтовец Н. С., Конакова Р. В., Капитанчук Л. М. and Шеремет В. Н. (2014) Механизм протекания тока в омическом контакте Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в интервале температур 4,2-300 К. Physics and technics of semiconductors. Т. 48, № 10. pp. 1344-1347. ISSN 0015-3222.
Preview
p1344-1347.pdf
Download (301kB) | Preview
Abstract
Экспериментально исследована и теоретически объяснена температурная зависимость удельного контактного сопротивления ρс(Т) омических контактов Au-Ti-Al-Ti-n+GaN в диапазоне температур 4,2-300 К.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Subjects: | Q Science > QC Physics |
| Divisions: | Faculty of Physics and Mathematics > Department of Physics and Methods of Its Teaching |
| Depositing User: | Богдан Володимирович Свищ |
| Date Deposited: | 25 Nov 2014 14:14 |
| Last Modified: | 15 Aug 2015 13:28 |
| URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/14143 |
| ДСТУ 8302:2015: | Механизм протекания тока в омическом контакте Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в интервале температур 4,2-300 К / А. В. Саченко та ін. Physics and technics of semiconductors. 2014. Т. 48, № 10. pp. 1344-1347. |
Actions (login required)
- View Item