Sachenko А. V., Belyaev А. Е., Boltovets N. S., Vіnogradov А. О., Pіlіpenкo V. А., Sheremet V. N. (2014) On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014. V. 17, N 1. P. 1-6.. Т. 17, № 1. С. 1–6.
Preview
v17n1-2014-p001-006.pdf
Завантажити (3MB) | Preview
Анотація
We present both theoretical and experimental temperature dependences of contact resistivity ρс(Т) for ohmic contacts to the silicon n+-n-structures whose n+-layer was formed using phosphorus diffusion or ion implantation.
| Тип ресурсу: | Стаття |
|---|---|
| Класифікатор: | Q Наука > QC Фізика |
| Відділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
| Користувач: | Богдан Володимирович Свищ |
| Дата подачі: | 25 Лист 2014 12:16 |
| Оновлення: | 15 Серп 2015 10:28 |
| URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/14144 |
| ДСТУ 8302:2015: | On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step / Sachenko А. V. та ін. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014. V. 17, N 1. P. 1-6.. 2014. Т. 17, № 1. С. 1–6. |
Дії (потрібно ввійти)
- Оглянути опис ресурсу