Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si

Экспериментально установлено, что в процессе термообработки при Т=450°С в течение 10 минут в вакууме ~10-6 Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n+-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n+Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления ρс(Т). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости ρс составляет ~5∙109 см-2 и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации.