Оже-рекомбінація в полярних InGaN/GaN квантових ямах

Проведено розрахунок швидкостi оже-рекомбiнацiї в полярних квантових ямах InₓGa₁₋ₓN/GaN на основi моделi повних енергетичних зон. Ключовими складовими розрахункової моделi були зоннi структури об’ємних бiнарних нiтридiв (GaN та InN), що отримувалися методом емпiричного псевдопотенцiалу, та зоннi структури квантових ям InₓGa₁₋ₓN/GaN (для рiзних X), що отримувалися методом лiнiйної комбiнацiї об’ємних зон. Розраховано залежнiсть коефiцiєнтiв ожерекомбiнацiї вiд ширини заборо- неної зони, товщини квантової ями та концентрацiї носiїв заряду. Результати розрахунку показують, що оже-коефiцiєнти в квантових ямах набагато слабше залежать вiд ширини заборонної зони, нiж у випадку об’ємних InₓGa₁₋ₓN сполук. Залежнiсть оже-коефiцiєнтiв вiд товщини ями має сильний осциляцiйний характер. При високих концентрацiях носiїв заряду спостерiгається значне спадання оже-коефiцiєнтiв, що є наслiдком впливу статистики Фермi на розподiл носiїв заряду по квантових станах.