  |
 | Вгору на рівень |
ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs. u 2013 03026.
ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 65725 Україна, МПК Н01L 21/66. Спосіб контролю якості котодного контакту діодів Ганна. u 2011 0693.
ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. u 2010 15698.
