Ресурси де є Автор Sachenko А. V.

перехід на Верхній рівень
Виберіть формат: [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Групувати за: Тип ресурсу | Не групувати
Перейти до: Стаття
Кількість ресурсів: 3.

Стаття

Sachenko А. V., Belyaev А. Е., Boltovets N. S., Vіnogradov А. О., Pіlіpenкo V. А., Sheremet V. N. (2014) On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014. V. 17, N 1. P. 1-6., 17 (1). С. 1–6.

Sachenko А. V., Belyaev А. Е., Boltovets N. S., Konakova R. V., Kudryк Y. Y., Novytsкyі S. V., Sheremet V. N., Lі J., Vіtusevіch S. А. (2012) A new mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts to semiconductors with high dislocation density. Materials of a conference [31st International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS 2012)], (Zurich, Switzerland, 29 July — 3 August, 2012 y.). ст. 49.

Sachenko А. V., Belyaev А. Е., Boltovets N. S., Konakova R. V., Kudryк Y. Y., Novytsкyі S. V., Sheremet V. N., Lі J., Vіtusevіch S. А. (2012) Mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density. Journal of Applied Physics, 111 (8). 083701-083701. ISSN 0021-8979

Цей список був створений Mon Jun 23 11:59:04 2025 EEST.