Шелюк І. О., Томашик З. Ф., Томашик В. М., Стратійчук І. Б. and Денисюк Р. О. (2011) Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. Фізика і хімія твердого тіла. Т. 12, № 2. pp. 411-415. ISSN 1729-4428.
Preview
C_10_Shelyuk_Tomashyk_G[1].pdf
Download (477kB) | Preview
Abstract
Досліджено хімічну взаємодію монокристалів GаАs, GаSb, InAs, InAs (Sn) та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. Встановлено залежність швидкості їх розчинення від складу травників, перемішування, температури та визначено лімітуючі стадії процесу розчинення. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні вказаних напівпровідникових матеріалів.
| Item Type: | Article |
|---|---|
| Uncontrolled Keywords: | Напівпровідник, монокристал, легування, поверхня, травник, швидкість травлення, хімічне полірування. |
| Subjects: | Q Science > QD Chemistry |
| Divisions: | Faculty of Natural Sciences > Department of Chemistry |
| Depositing User: | Роман Олександрович Денисюк |
| Date Deposited: | 07 Dec 2012 13:42 |
| Last Modified: | 15 Aug 2015 05:43 |
| URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/8658 |
| ДСТУ 8302:2015: | Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr / І. О. Шелюк та ін. Фізика і хімія твердого тіла. 2011. Т. 12, № 2. pp. 411-415. |
Actions (login required)
- View Item