Шелюк І. О., Томашик З. Ф., Томашик В. М., Стратійчук І. Б., Денисюк Р. О. (2011) Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА. Т. 12, № 2. С. 411–415. ISSN 1729-4428.
Preview
C_10_Shelyuk_Tomashyk_G[1].pdf
Завантажити (477kB) | Preview
Анотація
Досліджено хімічну взаємодію монокристалів GаАs, GаSb, InAs, InAs (Sn) та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr. Встановлено залежність швидкості їх розчинення від складу травників, перемішування, температури та визначено лімітуючі стадії процесу розчинення. Оптимізовано склади поліруючих травників і режими хіміко-динамічного полірування поверхні вказаних напівпровідникових матеріалів.
| Тип ресурсу: | Стаття |
|---|---|
| Ключові слова: | Напівпровідник, монокристал, легування, поверхня, травник, швидкість травлення, хімічне полірування. |
| Класифікатор: | Q Наука > QD Хімія |
| Відділи: | Природничий факультет > Кафедра хімії |
| Користувач: | Роман Олександрович Денисюк |
| Дата подачі: | 07 Груд 2012 11:42 |
| Оновлення: | 15 Серп 2015 02:43 |
| URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/8658 |
| ДСТУ 8302:2015: | Хімічна взаємодія монокристалів GаАs, GаSb, InAs та ІnSb з водними розчинами Н2О2–HBr / Шелюк І. О. та ін. ФІЗИКА І ХІМІЯ ТВЕРДОГО ТІЛА. 2011. Т. 12, № 2. С. 411–415. |
Дії (потрібно ввійти)
- Оглянути опис ресурсу