ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs. .
Preview
Объединённый_документ.pdf
Завантажити (2MB) | Preview
| Тип ресурсу: | Патент |
|---|---|
| Класифікатор: | Q Наука > QC Фізика T Технологія > TK Радіотехніка. Атомна енергетика |
| Відділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
| Користувач: | С.В. Новицький |
| Дата подачі: | 23 Квіт 2014 09:42 |
| Оновлення: | 15 Серп 2015 09:16 |
| URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/11036 |
Дії (потрібно ввійти)
- Оглянути опис ресурсу