Measurement of Surface Recombination Velocity and Bulk Lifetime in Si Wafers by the Kinetics of Excess Thermal Emission

Zinovchuk A. V., Tkachenko A. K. (2011) Measurement of Surface Recombination Velocity and Bulk Lifetime in Si Wafers by the Kinetics of Excess Thermal Emission. Semiconductors. Т. 45, № 1. С. 61–65. ISSN 1063-7826.

Тип ресурсу:	Стаття
Класифікатор:	Q Наука > QC Фізика
Відділи:	Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання
Користувач:	Богдан Володимирович Свищ
Дата подачі:	30 Бер 2016 13:14
Оновлення:	30 Бер 2016 13:14
URI:	https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/20653
ДСТУ 8302:2015:	Zinovchuk A. V., Tkachenko A. K. Measurement of Surface Recombination Velocity and Bulk Lifetime in Si Wafers by the Kinetics of Excess Thermal Emission. Semiconductors. 2011. Т. 45, № 1. С. 61–65.

Дії ​​(потрібно ввійти)

Оглянути опис ресурсу