Ткаченко О. К., Горбань І. С., Гуменюк А. Ф., Грищенко Г. А., Тичина І. І. (1978) Уровни прилипания в кристаллах дифосфида цинка тетрагональной модификации. Физика и техника полупроводников. Т. 12, № 2. С. 410–413. ISSN 0015-3222.
Preview
ФТП-1978-Т12(2)-с410-413.pdf
Завантажити (3MB) | Preview
| Тип ресурсу: | Стаття |
|---|---|
| Класифікатор: | Q Наука > QC Фізика |
| Відділи: | Фізико-математичний факультет > Кафедра фізики та методики її навчання |
| Користувач: | Богдан Володимирович Свищ |
| Дата подачі: | 07 Квіт 2016 12:17 |
| Оновлення: | 07 Квіт 2016 12:19 |
| URI: | https://eprints.zu.edu.ua/id/eprint/20718 |
| ДСТУ 8302:2015: | Уровни прилипания в кристаллах дифосфида цинка тетрагональной модификации / Ткаченко О. К. та ін. Физика и техника полупроводников. 1978. Т. 12, № 2. С. 410–413. |
Дії (потрібно ввійти)
- Оглянути опис ресурсу