Ресурси де є Автор Бобиль О. В.
![[up]](/style/images/multi_up.png)
Up a levelГрупувати за: Тип ресурсу | Не групувати
Перейти до: Патент
Кількість ресурсів: 2.
Патент
ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs. .
ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 65725 Україна, МПК Н01L 21/66. Спосіб контролю якості котодного контакту діодів Ганна. .