Ресурси де є Автор Новийький С. В.
![[up]](/style/images/multi_up.png)
Up a levelГрупувати за: Тип ресурсу | Не групувати
Кількість ресурсів: 1.
ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. .
ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. .