  |
 | Вгору на рівень |
Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Конакова, Р. В., Капитанчук, Л. М., Шеремет, В. Н. (2014) Механизм протекания тока в омическом контакте Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в интервале температур 4,2-300 К. Физика и техника полупроводников, 48 (10). с. 1344-1347. ISSN 0015-3222
Шеремет, В. Н., Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Пилипенко, В. А., Петлицкая, Т. В., Анищик, В. А., Болтовец, Н. С., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Виноградов, А. О. (2014) Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si. Физика и техника полупроводников, 48 (4). с. 509-513. ISSN 0015-3222
Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н., Пилипчук, А. С. (2013) Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К. Тези доповідей. [VI Українська наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН-6)], (Чернівці, Україна, 30 вересня — 4 жовтня 2013 р.). с. 123-124.
Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Бобыль, А. В., Болтовец, Н. С., Виноградов, А. О., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2012) Наноэлектронные эффекты в удельном контактном сопротивлении полупроводниковых структур с высокой плотностю дислокаций. Тезисы докладов [III Международная конференция «Наноструктурные материалы – 2012: Россия – Украина – Беларусь»], (Санкт-Петербург, Россия, 19—22 ноября, 2012 г.). с. 37.
Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н., Быков, Ю. В., Егоров, Ю. В., Еремеев, А. Г. (2012) Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5. Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября). с. 333-336.
Беляев, А. Е., Саченко, А. В., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Матвеева, Л. А., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2012) Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP). Физика и техника полупроводников, 46 (4). с. 558-561. ISSN 0015-3222
Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Бобыль, А. В., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Капитанчук, Л. М., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Саксеев, Д. А., Тарасов, И. С., Шеремет, В. Н., Яговкина, М. А. (2012) Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций. Физика и техника полупроводников, 46 (3). с. 348-355. ISSN 0015-3222
ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs. u 2013 03026.
