Items where Author is "Саченко, А. В."

Up a level
Export as [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Group by: Item Type | No Grouping
Jump to: Article | Patent
Number of items: 8.

Article

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Конакова, Р. В. and Капитанчук, Л. М. and Шеремет, В. Н. (2014) Механизм протекания тока в омическом контакте Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в интервале температур 4,2-300 К. Физика и техника полупроводников, 48 (10). pp. 1344-1347. ISSN 0015-3222

Шеремет, В. Н. and Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Пилипенко, В. А. and Петлицкая, Т. В. and Анищик, В. А. and Болтовец, Н. С. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Виноградов, А. О. (2014) Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si. Физика и техника полупроводников, 48 (4). pp. 509-513. ISSN 0015-3222

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Конакова, Р. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. and Пилипчук, А. С. (2013) Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К. Тези доповідей. [VI Українська наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН-6)], (Чернівці, Україна, 30 вересня — 4 жовтня 2013 р.). pp. 123-124.

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Бобыль, А. В. and Болтовец, Н. С. and Виноградов, А. О. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2012) Наноэлектронные эффекты в удельном контактном сопротивлении полупроводниковых структур с высокой плотностю дислокаций. Тезисы докладов [III Международная конференция «Наноструктурные материалы – 2012: Россия – Украина – Беларусь»], (Санкт-Петербург, Россия, 19—22 ноября, 2012 г.). p. 37.

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. and Быков, Ю. В. and Егоров, Ю. В. and Еремеев, А. Г. (2012) Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5. Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября). pp. 333-336.

Беляев, А. Е. and Саченко, А. В. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Матвеева, Л. А. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2012) Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP). Физика и техника полупроводников, 46 (4). pp. 558-561. ISSN 0015-3222

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Бобыль, А. В. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Капитанчук, Л. М. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Саксеев, Д. А. and Тарасов, И. С. and Шеремет, В. Н. and Яговкина, М. А. (2012) Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций. Физика и техника полупроводников, 46 (3). pp. 348-355. ISSN 0015-3222

Patent

ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs. u 2013 03026.

This list was generated on Fri Aug 7 08:12:11 2020 EEST.