Items where Author is "Конакова, Р. В."

Up a level
Export as [feed] Atom [feed] RSS 1.0 [feed] RSS 2.0
Group by: Item Type | No Grouping
Jump to: Article | Patent
Number of items: 14.

Article

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Конакова, Р. В. and Капитанчук, Л. М. and Шеремет, В. Н. (2014) Механизм протекания тока в омическом контакте Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в интервале температур 4,2-300 К. Физика и техника полупроводников, 48 (10). pp. 1344-1347. ISSN 0015-3222

Шеремет, В. Н. and Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Пилипенко, В. А. and Петлицкая, Т. В. and Анищик, В. А. and Болтовец, Н. С. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Виноградов, А. О. (2014) Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si. Физика и техника полупроводников, 48 (4). pp. 509-513. ISSN 0015-3222

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Конакова, Р. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. and Пилипчук, А. С. (2013) Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К. Тези доповідей. [VI Українська наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН-6)], (Чернівці, Україна, 30 вересня — 4 жовтня 2013 р.). pp. 123-124.

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Бобыль, А. В. and Болтовец, Н. С. and Виноградов, А. О. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2012) Наноэлектронные эффекты в удельном контактном сопротивлении полупроводниковых структур с высокой плотностю дислокаций. Тезисы докладов [III Международная конференция «Наноструктурные материалы – 2012: Россия – Украина – Беларусь»], (Санкт-Петербург, Россия, 19—22 ноября, 2012 г.). p. 37.

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. and Быков, Ю. В. and Егоров, Ю. В. and Еремеев, А. Г. (2012) Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5. Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября). pp. 333-336.

Беляев, А. Е. and Саченко, А. В. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Матвеева, Л. А. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2012) Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP). Физика и техника полупроводников, 46 (4). pp. 558-561. ISSN 0015-3222

Саченко, А. В. and Беляев, А. Е. and Бобыль, А. В. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Капитанчук, Л. М. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Саксеев, Д. А. and Тарасов, И. С. and Шеремет, В. Н. and Яговкина, М. А. (2012) Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций. Физика и техника полупроводников, 46 (3). pp. 348-355. ISSN 0015-3222

Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2011) Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN). Известия вузов. Физика (1-2). pp. 74-77.

Болтовец, Н. С. and Иванов, В. Н. and Ковтонюк, В. М. and Раевская, Н. С. and Беляев, А. Е. and Бобыль, А. В. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2010) Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах. Технология и конструирование в электронной аппаратуре (5-6). pp. 3-6. ISSN 2225-5818

Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Бобыль, А. В. and Иванов, В. Н. and Капитанчук, Л. М. and Кладько, В. П. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Литвин, О. С. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2010) Радиационные эффекты в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, содержащих поликристаллические и аморфные диффузионные барьеры. Труды совещания [Труды ХХ Международного совещания «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 5 июля - 10 июля 2010 г.)], 1. pp. 222-231.

Беляев, А. Е. and Болтовец, Н. С. and Бобыль, А. В. and Иванов, В. Н. and Капитанчук, Л. М. and Кладько, В. П. and Конакова, Р. В. and Кудрик, Я. Я. and Корчевой, А. А. and Литвин, О. С. and Миленин, В. В. and Новицкий, С. В. and Шеремет, В. Н. (2010) Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением γ-квантами 60Co. Физика и техника полупроводников, 44 (12). pp. 1607-1614. ISSN 0015-3222

Patent

ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs. u 2013 03026.

ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 65725 Україна, МПК Н01L 21/66. Спосіб контролю якості котодного контакту діодів Ганна. u 2011 0693.

ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. u 2010 15698.

This list was generated on Thu Sep 19 18:38:43 2019 EEST.