  |
 | Вгору на рівень |
Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Конакова, Р. В., Капитанчук, Л. М., Шеремет, В. Н. (2014) Механизм протекания тока в омическом контакте Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в интервале температур 4,2-300 К. Физика и техника полупроводников, 48 (10). с. 1344-1347. ISSN 0015-3222
Шеремет, В. Н., Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Пилипенко, В. А., Петлицкая, Т. В., Анищик, В. А., Болтовец, Н. С., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Виноградов, А. О. (2014) Токоперенос по металлическим шунтам в омических контактах к n+-Si. Физика и техника полупроводников, 48 (4). с. 509-513. ISSN 0015-3222
Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н., Пилипчук, А. С. (2013) Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления к невырожденым n-InP и n-GaAs в области температур 4,2-300 К. Тези доповідей. [VI Українська наук. конф. з фізики напівпровідників (УНКФН-6)], (Чернівці, Україна, 30 вересня — 4 жовтня 2013 р.). с. 123-124.
Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Бобыль, А. В., Болтовец, Н. С., Виноградов, А. О., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2012) Наноэлектронные эффекты в удельном контактном сопротивлении полупроводниковых структур с высокой плотностю дислокаций. Тезисы докладов [III Международная конференция «Наноструктурные материалы – 2012: Россия – Украина – Беларусь»], (Санкт-Петербург, Россия, 19—22 ноября, 2012 г.). с. 37.
Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н., Быков, Ю. В., Егоров, Ю. В., Еремеев, А. Г. (2012) Влияние микроволнового излучения на механизм токопереноса в омических контактах к соединениям А3В5. Труды конфиренции. [VIII Международ. науч. конф. «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах»], (Томск, Россия, 2012, 14—26 октября). с. 333-336.
Беляев, А. Е., Саченко, А. В., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Матвеева, Л. А., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2012) Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактах Au-TiBx-Ge-Au-n+-n+-n++-GaAs(InP). Физика и техника полупроводников, 46 (4). с. 558-561. ISSN 0015-3222
Саченко, А. В., Беляев, А. Е., Бобыль, А. В., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Капитанчук, Л. М., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Саксеев, Д. А., Тарасов, И. С., Шеремет, В. Н., Яговкина, М. А. (2012) Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединения АIIIВV с высокой плотностью дислокаций. Физика и техника полупроводников, 46 (3). с. 348-355. ISSN 0015-3222
Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2011) Влияние термо- и микроволновой обработок на свойства омических контактов к n-n+-n++-InP(GaAs, GaN). Известия вузов. Физика (1-2). с. 74-77.
Болтовец, Н. С., Иванов, В. Н., Ковтонюк, В. М., Раевская, Н. С., Беляев, А. Е., Бобыль, А. В., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2010) Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах. Технология и конструирование в электронной аппаратуре (5-6). с. 3-6. ISSN 2225-5818
Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Бобыль, А. В., Иванов, В. Н., Капитанчук, Л. М., Кладько, В. П., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Литвин, О. С., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2010) Радиационные эффекты в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, содержащих поликристаллические и аморфные диффузионные барьеры. Труды совещания [Труды ХХ Международного совещания «Радиационная физика твердого тела» (Севастополь, 5 июля - 10 июля 2010 г.)], 1. с. 222-231.
Беляев, А. Е., Болтовец, Н. С., Бобыль, А. В., Иванов, В. Н., Капитанчук, Л. М., Кладько, В. П., Конакова, Р. В., Кудрик, Я. Я., Корчевой, А. А., Литвин, О. С., Миленин, В. В., Новицкий, С. В., Шеремет, В. Н. (2010) Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением γ-квантами 60Co. Физика и техника полупроводников, 44 (12). с. 1607-1614. ISSN 0015-3222
ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ (2013) Патент 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs. u 2013 03026.
ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 65725 Україна, МПК Н01L 21/66. Спосіб контролю якості котодного контакту діодів Ганна. u 2011 0693.
ІФН ім. В. Є. Лашкарьова НАНУ (2011) Патент 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників. u 2010 15698.
